三、PCB布線后檢查階段
e.數(shù)模
45, 數(shù)字電路和模擬電路的走線是否已分開，信號流是否合理。
46, A/D、D/A以及類似的電路如果分割了地，那么電路之間的信號線是否從兩地之間的橋接點上走（差分線例外）？
47, 必須跨越分割電源之間間隙的信號線應(yīng)參考完整的地平面。
48, 如果采用地層設(shè)計分區(qū)不分割方式，要確保數(shù)字信號和模擬信號分區(qū)布線。
f.時鐘和高速部分
49, 高速信號線的阻抗各層是否保持一致。
50, 高速差分信號線和類似信號線，是否等長、對稱、就近平行地走線？
51, 確認時鐘線盡量走在內(nèi)層。
52, 確認時鐘線、高速線、復(fù)位線及其它強輻射或敏感線路是否已盡量按3W原則布線。
53, 時鐘、中斷、復(fù)位信號、百兆/千兆以太網(wǎng)、高速信號上是否沒有分叉的測試點？
54, LVDS等低電平信號與TTL/CMOS信號之間是否盡量滿足了10H（H為信號線距參考平面的高度）？
55, 時鐘線以及高速信號線是否避免穿越密集通孔過孔區(qū)域或器件引腳間走線？
56, 時鐘線是否已滿足（SI約束）要求（時鐘信號走線是否做到少打過孔、走線短、參考平面連續(xù)，主要參考平面盡量是GND；若換層時變換了GND主參考平面層，在離過孔200mil范圍之內(nèi)是GND過孔） 若換層時變換不同電平的主參考平面，在離過孔200mil范圍之內(nèi)是否有去耦電容）？
57, 差分對、高速信號線、各類BUS是否已滿足（SI約束）要求。
g.EMC與可靠性
58, 對于晶振，是否在其下布一層地？是否避免了信號線從器件管腳間穿越？對高速敏感器件，是否避免了信號線從器件管腳間穿越？
59, 單板信號走線上不能有銳角和直角（一般成 135 度角連續(xù)轉(zhuǎn)彎，射頻信號線最好采用圓弧形或經(jīng)過計算以后的切角銅箔）。
60, 對于雙面板，檢查高速信號線是否與其回流地線緊挨在一起布線；對于多層板，檢查高速信號線是否盡量緊靠地平面走線。
61, 對于相鄰的兩層信號走線，盡量垂直走線。
62, 避免信號線從電源模塊、共模電感、變壓器、濾波器下穿越。
63, 盡量避免高速信號在同一層上的長距離平行走線。
64, 板邊緣還有數(shù)字地、模擬地、保護地的分割邊緣是否有加屏蔽過孔？多個地平面是否用過孔相連?過孔距離是否小于最高頻率信號波長的1/20？
65, 浪涌抑制器件對應(yīng)的信號走線是否在表層短且粗？
66, 確認電源、地層無孤島、無過大開槽、無由于通孔隔離盤過大或密集過孔所造成的較長的地平面裂縫、無細長條和通道狹窄現(xiàn)象。
67, 是否在信號線跨層比較多的地方，放置了地過孔（至少需要兩個地平面）。
h.電源和地
68, 如果電源/地平面有分割，盡量避免分割開的參考平面上有高速信號的跨越。
69, 確認電源、地能承載足夠的電流。過孔數(shù)量是否滿足承載要求,（估算方法：外層銅厚1oz時1A/mm線寬，內(nèi)層0.5A/mm線寬，短線電流加倍）。
70, 對于有特殊要求的電源，是否滿足了壓降的要求。
71, 為降低平面的邊緣輻射效應(yīng)，在電源層與地層間要盡量滿足20H原則。（條件允許的話，電源層的縮進得越多越好）。
72, 如果存在地分割，分割的地是否不構(gòu)成環(huán)路？
73, 相鄰層不同的電源平面是否避免了交疊放置？
74, 保護地、-48V地及GND的隔離是否大于2mm？
75, -48V地是否只是-48V的信號回流，沒有匯接到其他地？如果做不到請在備注欄說明原因。
76, 靠近帶連接器面板處是否布10~20mm的保護地，并用雙排交錯孔將各層相連？
77, 電源線與其他信號線間距是否距離滿足安規(guī)要求？
i.禁布區(qū)
78, 金屬殼體器件和散熱器件下，不應(yīng)有可能引起短路的走線、銅皮和過孔。
79, 安裝螺釘或墊圈的周圍不應(yīng)有可能引起短路的走線、銅皮和過孔。
80, 設(shè)計要求中預(yù)留位置是否有走線。
81, 非金屬化孔內(nèi)層離線路及銅箔間距應(yīng)大于0.5mm（20mil），外層0.3mm（12mil）,單板起拔扳手軸孔內(nèi)層離線路及銅箔間距應(yīng)大于2mm（80mil）。
82, 銅皮和線到板邊 推薦為大于2mm 最小為0.5mm。
83, 內(nèi)層地層銅皮到板邊 1 ~ 2 mm， 最小為0.5mm。
j.焊盤出線
84, 對于兩個焊盤安裝的CHIP元件（0805及其以下封裝），如電阻、電容，與其焊盤連接的印制線最好從焊盤中心位置對稱引出，且與焊盤連接的印制線必須具有一樣的寬度，對于線寬小于0.3mm(12mil)的引出線可以不考慮此條規(guī)定。
85, 與較寬印制線連接的焊盤，中間最好通過一段窄的印制線過渡？（0805及其以下封裝）。
86, 線路應(yīng)盡量從SOIC、PLCC、QFP、SOT等器件的焊盤的兩端引出。
k.絲印
87, 器件位號是否遺漏，位置是否能正確標識器件。
88, 器件位號是否符合公司標準要求。
89, 確認器件的管腳排列順序， 第1腳標志，器件的極性標志，連接器的方向標識的正確性。
90, 母板與子板的插板方向標識是否對應(yīng)。
91, 背板是否正確標識了槽位名、槽位號、端口名稱、護套方向。
92, 確認設(shè)計要求的絲印添加是否正確。
93, 確認已經(jīng)放置有防靜電和射頻板標識（射頻板使用）。
l.編碼/條碼
94, 確認PCB編碼正確且符合公司規(guī)范。
95, 確認單板的PCB編碼位置和層面正確（應(yīng)該在A面左上方,絲印層）。
96, 確認背板的PCB編碼位置和層面正確（應(yīng)該在B右上方,外層銅箔面）。
97, 確認有條碼激光打印白色絲印標示區(qū)。
98, 確認條碼框下面沒有連線和大于0.5mm導(dǎo)通孔。
99, 確認條碼白色絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過25mm的元器件。
m.過孔
100, 在回流焊面，過孔不能設(shè)計在焊盤上。（正常開窗的過孔與焊盤的間距應(yīng)大于0.5mm （20mil），綠油覆蓋的過孔與焊盤的間距應(yīng)大于0.1 mm （4mil），方法：將Same Net DRC打開，查DRC，然后關(guān)閉Same Net DRC）。
101, 過孔的排列不宜太密，避免引起電源、地平面大范圍斷裂。
102, 鉆孔的過孔孔徑最好不小于板厚的1/10。
n.工藝
103, 器件布放率是否100%，布通率是否100%（沒有達到100%的需要在備注中說明）。
104, Dangling線是否已經(jīng)調(diào)整到最少，對于保留的Dangling線已做到一一確認；
105, 工藝科反饋的工藝問題是否已仔細查對。
o.大面積銅箔
106, 對于Top、bottom上的大面積銅箔，如無特殊的需要，應(yīng)用網(wǎng)格銅[單板用斜網(wǎng)，背板用正交網(wǎng)，線寬0.3mm （12 mil）、間距0.5mm （20mil）]。
107, 大面積銅箔區(qū)的元件焊盤，應(yīng)設(shè)計成花焊盤，以免虛焊；有電流要求時，則先考慮加寬花焊盤的筋，再考慮全連接。
108, 大面積布銅時，應(yīng)該盡量避免出現(xiàn)沒有網(wǎng)絡(luò)連接的死銅（孤島）。
109, 大面積銅箔還需注意是否有非法連線，未報告的DRC。
p.測試點
110, 各種電源、地的測試點是否足夠（每2A電流至少有一個測試點）。
111, 確認沒有加測試點的網(wǎng)絡(luò)都是經(jīng)確認可以進行精簡的。
112, 確認沒有在生產(chǎn)時不安裝的插件上設(shè)置測試點。
113, Test Via、Test Pin是否已Fix（適用于測試針床不變的改板）。
q.DRC
114, Test via 和Test pin 的Spacing Rule應(yīng)先設(shè)置成推薦的距離，檢查DRC，若仍有DRC存在，再用最小距離設(shè)置檢查DRC。
115, 打開約束設(shè)置為打開狀態(tài)，更新DRC，查看DRC中是否有不允許的錯誤。
116, 確認DRC已經(jīng)調(diào)整到最少，對于不能消除DRC要一一確認。
r.光學(xué)定位點
117, 確認有貼裝元件的PCB面已有光學(xué)定位符號。
118, 確認光學(xué)定位符號未壓線（絲印和銅箔走線）。
119, 光學(xué)定位點背景需相同，確認整板使用光學(xué)點其中心離邊≥5mm。
120, 確認整板的光學(xué)定位基準符號已賦予坐標值（建議將光學(xué)定位基準符號以器件的形式放置），且是以毫米為單位的整數(shù)值。
121, 管腳中心距<0.5mm的IC，以及中心距小于0.8 mm（31 mil）的BGA器件，應(yīng)在元件對角線附近位置設(shè)置光學(xué)定位點。
s.阻焊檢查
122, 確認是否有特殊需求類型的焊盤都正確開窗（尤其注意硬件的設(shè)計要求）。
123, BGA下的過孔是否處理成蓋油塞孔。
124, 除測試過孔外的過孔是否已做開小窗或蓋油塞孔。
125, 光學(xué)定位點的開窗是否避免了露銅和露線。
126, 電源芯片、晶振等需銅皮散熱或接地屏蔽的器件，是否有銅皮并正確開窗。由焊錫固定的器件應(yīng)有綠油阻斷焊錫的大面積擴散。
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